2018是不平靜的一年。這一年里，電子元器件產業(yè)鏈經歷了多次原材料缺貨、物料供不應求漲價到供過于求跌價。內存市場也未能幸免，在2018年內存芯片大廠扎堆布局投資擴產，導致產能過剩，造成存儲市場供過于求，導致了消費類存儲產品跌幅過半，影響了企業(yè)利潤……

2018年，全球知名的內存芯片廠商三星、SK hynix、美光、TOSHIBA、英特爾等爭相在創(chuàng)新技術上展開激烈競爭，更是在投資、建廠、擴產等方面拉開戰(zhàn)局。

三星電子在存儲器上的投資在2018年降至99億美元，其中DRAM投資81億美元，NAND投資18億美元。為了擴大下一代芯片和閃存的產能，SK海力士在2017的資本支出創(chuàng)下98億美元的記錄，曾計劃將其2018年的資本支出增加到134億美元。美光科技的資本支出也高達81億美元，但低于上述兩家制造商。

2018年，三星得益于 1x nm DRAM和64層NAND產線的效率高于預期，DRAM和NAND位出貨量增長率應該分別為25%和45%。據了解，三星計劃在2019年位于平澤的晶圓廠開始量產10nm LPDDR 5芯片。

SKhynix去年也宣布計劃在韓國利川總部建造一座新的存儲器工廠。這座工廠在2018年底開工建設，計劃在2020年10月完工。SK hynix計劃在這家新工廠投資31.2億美元。此外，SK hynix還在繼續(xù)擴大利川M14工廠的產能。它還計劃于2018年9月底在完成其位于清州的新工廠的潔凈室設備的安裝，該工廠計劃于2019年初投產。另外，在中國地區(qū)，SK hynix計劃在2018年完成其在無錫工廠的擴建。

美光準備在2018年至2019年在其臺灣工廠擴大其10nm級別DRAM芯片的生產。美光位于中國臺灣地區(qū)桃園縣的工廠計劃于2018年下半年進入1Xnm的生產并于年底遷移到1Ynm工藝節(jié)點上。其位于臺中的工廠將在2019年下半年放棄1Xnm產品的量產后遷移到更新的1Znm工藝上。

東芝存儲器業(yè)務部門2018年在日本巖手縣舉行新型BiCS 3D NAND閃存工廠的奠基儀式，該工廠預計將于2019年年底完工，西部數據也參與了該項目。就在去年夏天，東芝計劃在四日市開始啟用其Fab6的第一階段工廠。此舉幫助其在未來幾個月內增加BiCS 3D NAND閃存的產量，Fab6的第二階段工廠預計于2019年進行部署。

也許是戰(zhàn)局過于激烈，市場行情預估不到位，以致于2018年內存廠商持續(xù)擴大內存芯片產出， 2018全年NAND Flash供應大幅度增加40%。

可誰都沒有想到，在2018年全年，三星、蘋果智能型手機出貨不及預期，國內手機市場競爭激烈，且部分出現銷量下滑的情況，再加上英特爾PC處理器在Q3旺季缺貨，北美數據中心在Q4訂單大幅縮減等誘因，全球NAND Flash市場處于供過于求的狀態(tài)，閃存卡價格跌價幅度過半；SSD價格跌幅達到56%；而消費型NAND Flash價格跌價幅度最大，價格同比下降最高65%。

2018年全球智能型手機出貨下滑2.7%至14.5億臺，中國市場智能型手機出貨下滑15.5%至3.9億臺，在全球市占份額也下降至26.9%。

為了改善市場的需求關系且最大限度的維持企業(yè)利潤，各大廠紛紛下調2019投資預算，推遲先進技術的擴產計劃，以及將NAND flash增長率下調來控制價格下跌的趨勢。

看到這里，也許有人會說，既然內存市場產能過剩，相關產品是否會持續(xù)降價的頹勢？事實上，內存市場需求還是很大的，為什么呢？

國際電子商情分析師認為，市場對存儲芯片的需求空間還是很大的，芯片廠商在2019年做出的減少產能和推遲量產的計劃后，預計內存芯片市場的供過于求的狀態(tài)不會一直持續(xù)下去，但降價仍會是今年存儲市場的關鍵詞。

隨著人們的生活品質提高，層出不窮的新型產品正在出現在我們面前。除了手機，智能穿戴、家居終端、電視、行車記錄儀這些生活剛需品以外，一些新興起的的智能機器人、AI助手、還有智能音箱等產品都成為了炙手可熱的熱門產品。這些消費電子設備產品雖然不如手機、平板等搭載容量快速且大量消耗內存芯片產能，但仍有很大的內存需求。